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中國集成電路產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀和未來趨勢分析
2020-12-14
本文主要是論述中國集成電路產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀和未來趨勢分析。隨著中美之間的關(guān)稅和貿(mào)易緊張局勢,中國各地的部門和公司加倍了決心,以迅...
如何借助微納技術(shù)對MEMS微流量傳感器進(jìn)行原型測試?
2020-12-11
此文主要是介紹了如何借助微納技術(shù)對MEMS微流量傳感器進(jìn)行原型測試。微流量傳感器是一種熱力學(xué)流傳感器,其敏感體主要由硅基...
微納技術(shù)在晶圓上MEMS參數(shù)測量的應(yīng)用
2020-12-07
一方面,它們可以高分辨率地確定晶圓表面形貌,另一方面,它們也可以對動態(tài)運動行為進(jìn)行精確表征。有源微機電結(jié)構(gòu)元件(如MEM...
怎么通過低溫鍵合技術(shù)改善氮化鎵器件的散熱性能?
2020-12-04
將氮化鎵(GaN)等寬帶隙材料與金剛石等導(dǎo)熱材料集成在一起的室溫低溫鍵合技術(shù)可以提高GaN器件的散熱效果,并擁有更高的功...
芯片廠如何提高生產(chǎn)出來的芯片的質(zhì)量?
2020-12-02
新技術(shù)和工藝將使生產(chǎn)密度更高,速度更快,功能更強大的芯片成為可能。但是芯片廠同時也需要采取必要的措施和工藝提高生產(chǎn)出來的...
如何減少晶圓加工和轉(zhuǎn)移過程中的致命污染?
2020-11-30
隨著芯片特性的縮小,很小的致命晶圓污染物的潛在影響也會增加。晶圓加工過程中,致命污染會引起直接的問題,從而降低產(chǎn)量,這些...
從物理化學(xué)電介質(zhì)原子層方面分析制造芯片的難度
2020-11-27
除了光刻方面的挑戰(zhàn)外,精細(xì)的圖案本身對小顆粒的損壞也很敏感,并容易受到物理結(jié)構(gòu)完整性的困擾。電介質(zhì)方面,柵極絕緣體的厚度...
制造芯片的難題之光刻技術(shù)和掩模版制作
2020-11-26
10納米技術(shù)仍然使用光的193nm波長,傳統(tǒng)的光刻技術(shù)是通過使光穿過由熔融石英和鉻金屬吸收膜組成的光掩模來工作的。在小于...
GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場發(fā)展趨勢
2020-11-24
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的新興市場正在從以創(chuàng)業(yè)為主導(dǎo)的業(yè)務(wù)迅速發(fā)展為以大型功率半導(dǎo)體制造商為主導(dǎo)的業(yè)...
光刻機的發(fā)展歷程及現(xiàn)狀
2020-12-21
在集成電路產(chǎn)業(yè)中通常把晶圓制造稱為前道工藝,晶圓封測工藝稱為后道工藝,相應(yīng)的光刻機也分為前道光刻機和后道光刻機,ASML...
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