本文主要是論述中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)分析。隨著中美之間的關(guān)稅和貿(mào)易緊張局勢(shì)，中國(guó)各地的部門和公司加倍了決心，以迅...

此文主要是介紹了如何借助微納技術(shù)對(duì)MEMS微流量傳感器進(jìn)行原型測(cè)試。微流量傳感器是一種熱力學(xué)流傳感器，其敏感體主要由硅基...

一方面，它們可以高分辨率地確定晶圓表面形貌，另一方面，它們也可以對(duì)動(dòng)態(tài)運(yùn)動(dòng)行為進(jìn)行精確表征。有源微機(jī)電結(jié)構(gòu)元件（如MEM...

將氮化鎵（GaN）等寬帶隙材料與金剛石等導(dǎo)熱材料集成在一起的室溫低溫鍵合技術(shù)可以提高GaN器件的散熱效果，并擁有更高的功...

新技術(shù)和工藝將使生產(chǎn)密度更高，速度更快，功能更強(qiáng)大的芯片成為可能。但是芯片廠同時(shí)也需要采取必要的措施和工藝提高生產(chǎn)出來(lái)的...

隨著芯片特性的縮小，很小的致命晶圓污染物的潛在影響也會(huì)增加。晶圓加工過(guò)程中，致命污染會(huì)引起直接的問(wèn)題，從而降低產(chǎn)量，這些...

除了光刻方面的挑戰(zhàn)外，精細(xì)的圖案本身對(duì)小顆粒的損壞也很敏感，并容易受到物理結(jié)構(gòu)完整性的困擾。電介質(zhì)方面，柵極絕緣體的厚度...

10納米技術(shù)仍然使用光的193nm波長(zhǎng)，傳統(tǒng)的光刻技術(shù)是通過(guò)使光穿過(guò)由熔融石英和鉻金屬吸收膜組成的光掩模來(lái)工作的。在小于...

碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的新興市場(chǎng)正在從以創(chuàng)業(yè)為主導(dǎo)的業(yè)務(wù)迅速發(fā)展為以大型功率半導(dǎo)體制造商為主導(dǎo)的業(yè)...

在集成電路產(chǎn)業(yè)中通常把晶圓制造稱為前道工藝，晶圓封測(cè)工藝稱為后道工藝，相應(yīng)的光刻機(jī)也分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)，ASML...