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絕緣襯底上的硅技術(shù)SOI發(fā)展與應(yīng)用分析（二）
2020-05-26
SOI技術(shù)作為一種全介質(zhì)隔離技術(shù)，有著許多體硅器件不可比擬的優(yōu)勢(shì)，如低功耗（泄漏電流小）、速度快（寄生電容?。⒖垢蓴_強(qiáng)...
絕緣襯底上的硅技術(shù)SOI發(fā)展與應(yīng)用分析（一）
2020-05-25
SOI技術(shù)作為一種全介質(zhì)隔離技術(shù)，有著許多體硅器件不可比擬的優(yōu)勢(shì)，如低功耗（泄漏電流?。?、速度快（寄生電容?。⒖垢蓴_強(qiáng)...
EVG在東京大學(xué)為化合物半導(dǎo)體研究安裝低溫等離子體活化系統(tǒng)
收到東京大學(xué)的EVG810LT等離子活化訂單化合物半導(dǎo)體研究系統(tǒng)。EVG810LT安裝在大學(xué)的Takagi＆Takena...
Cu-Cu鍵合工藝及其在高功率聲光器件中的應(yīng)用
2020-05-22
介紹了一種低溫Ｃｕ—Ｃｕ擴(kuò)散鍵合工藝技術(shù)，利用電子束蒸發(fā)Ｃｒ／Ｃｕ薄膜作為鍵合層制作了聲光調(diào)制器。實(shí)驗(yàn)表明，Ｃｒ／Ｃｕ／...
Leti在EVG晶圓鍵合機(jī)實(shí)現(xiàn)首 個(gè)300毫米晶圓對(duì)晶圓間距為1微米直接混合鍵合
CEA Tech研究所Leti宣布了全球首 次成功實(shí)現(xiàn)300mm的晶圓間直接混合鍵合，其間距尺寸連接小至1μm（微米）。...
晶圓鍵合技術(shù)在LED應(yīng)用中的研究進(jìn)展（二）
2020-05-21
簡(jiǎn)要介紹了晶圓鍵合技術(shù)在發(fā)光二極管(LED)應(yīng)用中的研究背景，分別論述了常用的黏合劑鍵合技術(shù)、金屬鍵合技術(shù)和直接鍵合技術(shù)...
晶圓鍵合技術(shù)在LED應(yīng)用中的研究進(jìn)展（一）
EVG獲得用于晶圓級(jí)光學(xué)微透鏡制造的光刻和計(jì)量系統(tǒng)的訂單
2020-05-20
該晶圓級(jí)光刻機(jī)和計(jì)量機(jī)產(chǎn)品組合包括EVG?770自動(dòng)UV-納米壓印光刻（UV-NIL）步進(jìn)器，用于步進(jìn)重復(fù)式主圖章制造，...
微透鏡陣列防偽膜制備的新方法（二）
基于微透鏡陣列的防偽膜技術(shù)便于觀察和易于識(shí)別的特點(diǎn)，采用高感光度的 AZ 1500 和較高解像度的 AZ MIR-703...
微透鏡陣列防偽膜制備的新方法（一）
2020-05-19
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