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絕緣襯底上的硅技術(shù)SOI發(fā)展與應(yīng)用分析（三）
2020-05-26
SOI技術(shù)作為一種全介質(zhì)隔離技術(shù)，有著許多體硅器件不可比擬的優(yōu)勢，如低功耗（泄漏電流?。⑺俣瓤欤纳娙菪。?、抗干擾強...
絕緣襯底上的硅技術(shù)SOI發(fā)展與應(yīng)用分析（二）
SOI技術(shù)作為一種全介質(zhì)隔離技術(shù)，有著許多體硅器件不可比擬的優(yōu)勢，如低功耗（泄漏電流?。?、速度快（寄生電容?。⒖垢蓴_強...
絕緣襯底上的硅技術(shù)SOI發(fā)展與應(yīng)用分析（一）
2020-05-25
SOI技術(shù)作為一種全介質(zhì)隔離技術(shù)，有著許多體硅器件不可比擬的優(yōu)勢，如低功耗（泄漏電流小）、速度快（寄生電容?。⒖垢蓴_強...
Cu-Cu鍵合工藝及其在高功率聲光器件中的應(yīng)用
2020-05-22
介紹了一種低溫Ｃｕ—Ｃｕ擴散鍵合工藝技術(shù)，利用電子束蒸發(fā)Ｃｒ／Ｃｕ薄膜作為鍵合層制作了聲光調(diào)制器。實驗表明，Ｃｒ／Ｃｕ／...
Leti在EVG晶圓鍵合機實現(xiàn)首 個300毫米晶圓對晶圓間距為1微米直接混合鍵合
CEA Tech研究所Leti宣布了全球首 次成功實現(xiàn)300mm的晶圓間直接混合鍵合，其間距尺寸連接小至1μm（微米）。...
晶圓鍵合技術(shù)在LED應(yīng)用中的研究進展（二）
2020-05-21
簡要介紹了晶圓鍵合技術(shù)在發(fā)光二極管(LED)應(yīng)用中的研究背景，分別論述了常用的黏合劑鍵合技術(shù)、金屬鍵合技術(shù)和直接鍵合技術(shù)...
晶圓鍵合技術(shù)在LED應(yīng)用中的研究進展（一）
微透鏡陣列防偽膜制備的新方法（二）
2020-05-20
基于微透鏡陣列的防偽膜技術(shù)便于觀察和易于識別的特點，采用高感光度的 AZ 1500 和較高解像度的 AZ MIR-703...
微透鏡陣列防偽膜制備的新方法（一）
2020-05-19
基于無掩模光刻的高精度ITO電極濕法刻蝕工藝研究（結(jié)果與討論）
氧化銦錫（ＩＴＯ）導(dǎo)電膜具有電阻率低、透光性好、耐高溫等優(yōu)點，在光電領(lǐng)域具有重要應(yīng)用?，F(xiàn)有加工方法得到的ＩＴＯ電極尺寸一...
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