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絕緣襯底上的硅技術(shù)SOI發(fā)展與應(yīng)用分析(三)
2020-05-26
SOI技術(shù)作為一種全介質(zhì)隔離技術(shù),有著許多體硅器件不可比擬的優(yōu)勢,如低功耗(泄漏電流?。⑺俣瓤欤纳娙菪。?、抗干擾強...
絕緣襯底上的硅技術(shù)SOI發(fā)展與應(yīng)用分析(二)
SOI技術(shù)作為一種全介質(zhì)隔離技術(shù),有著許多體硅器件不可比擬的優(yōu)勢,如低功耗(泄漏電流?。?、速度快(寄生電容?。⒖垢蓴_強...
絕緣襯底上的硅技術(shù)SOI發(fā)展與應(yīng)用分析(一)
2020-05-25
SOI技術(shù)作為一種全介質(zhì)隔離技術(shù),有著許多體硅器件不可比擬的優(yōu)勢,如低功耗(泄漏電流小)、速度快(寄生電容?。⒖垢蓴_強...
Cu-Cu鍵合工藝及其在高功率聲光器件中的應(yīng)用
2020-05-22
介紹了一種低溫Cu—Cu擴散鍵合工藝技術(shù),利用電子束蒸發(fā)Cr/Cu薄膜作為鍵合層制作了聲光調(diào)制器。實驗表明,Cr/Cu/...
Leti在EVG晶圓鍵合機實現(xiàn)首 個300毫米晶圓對晶圓間距為1微米直接混合鍵合
CEA Tech研究所Leti宣布了全球首 次成功實現(xiàn)300mm的晶圓間直接混合鍵合,其間距尺寸連接小至1μm(微米)。...
晶圓鍵合技術(shù)在LED應(yīng)用中的研究進展(二)
2020-05-21
簡要介紹了晶圓鍵合技術(shù)在發(fā)光二極管(LED)應(yīng)用中的研究背景,分別論述了常用的黏合劑鍵合技術(shù)、金屬鍵合技術(shù)和直接鍵合技術(shù)...
晶圓鍵合技術(shù)在LED應(yīng)用中的研究進展(一)
微透鏡陣列防偽膜制備的新方法(二)
2020-05-20
基于微透鏡陣列的防偽膜技術(shù)便于觀察和易于識別的特點,采用高感光度的 AZ 1500 和較高解像度的 AZ MIR-703...
微透鏡陣列防偽膜制備的新方法(一)
2020-05-19
基于無掩模光刻的高精度ITO電極濕法刻蝕工藝研究(結(jié)果與討論)
氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電膜具有電阻率低、透光性好、耐高溫等優(yōu)點,在光電領(lǐng)域具有重要應(yīng)用?,F(xiàn)有加工方法得到的ITO電極尺寸一...
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