ComBond-自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)（晶圓鍵合機(jī)）

       應(yīng)用：高真空晶圓鍵合平臺促進(jìn)“任何物上的任何東西”的共價(jià)鍵合

一、簡介

       EVG ComBond高真空晶圓鍵合平臺（晶圓鍵合機(jī)）標(biāo)志著EVG獨(dú)特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個(gè)新里程碑，可滿足市場對更復(fù)雜的集成工藝的需求。EVG ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進(jìn)的工程襯底，堆疊的太陽能電池和功率器件到高端MEMS封裝，高性能邏輯和“beyond CMOS”器件。EVG ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計(jì)提供了高度靈活的平臺，可以針對研發(fā)和高通量，大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制。EVG ComBond（晶圓鍵合機(jī)）促進(jìn)了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質(zhì)材料的鍵合，并通過其獨(dú)特的氧化物去除工藝促進(jìn)了導(dǎo)電鍵界面的形成。EVG ComBond（晶圓鍵合機(jī)）高真空技術(shù)還可以實(shí)現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合，這些金屬在周圍環(huán)境中會迅速重新氧化。對于所有材料組合，都可以實(shí)現(xiàn)無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強(qiáng)度。

二、特征

• 高真空，對準(zhǔn)，共價(jià)鍵合
• 在高真空環(huán)境（<5·10 -8 mbar）中進(jìn)行處理
• 原位亞微米面對面對準(zhǔn)精度
• 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除
• 優(yōu)異的表面性能
• 導(dǎo)電鍵合
• 室溫過程
• 多種材料組合，包括金屬（鋁）
• 無應(yīng)力鍵合界面
• 高鍵合強(qiáng)度
• 用于HVM和R＆D的模塊化系統(tǒng) 
• 多達(dá)六個(gè)模塊的靈活配置
• 基板尺寸最大為200毫米
• 完全自動化

三、技術(shù)數(shù)據(jù)

• 真空度

       處理：<7E-8 mbar

       處理：<5E-8毫巴

• 集群配置

       處理模塊：最小3個(gè)，最大6個(gè)

       加載：手動，卡帶，EFEM

• 可選的過程模塊：

       （晶圓鍵合機(jī)）鍵合模塊

       ComBond ®激活模塊（CAM）

       （晶圓鍵合機(jī)）烘烤模塊

       真空對準(zhǔn)模塊（VAM）

• 晶圓直徑：高達(dá)200毫米