EVG光刻機EVG®610是一款緊湊型多功能研發(fā)系統(tǒng),可處理零碎片和最大200 mm的晶圓。
一、簡介
EVG光刻機EVG610支持各種標準光刻工藝,如真空,硬,軟接觸和接近式曝光模式,可選擇背部對準方式。此外,該系統(tǒng)還提供其他功能,包括鍵合對準和納米壓印光刻(NIL)。EVG610提供快速處理和重新加工,以滿足不斷變化的用戶需求,轉(zhuǎn)換時間不到幾分鐘。其先進的多用戶概念適合初學者到專家級各個階層用戶,非常適合大學和研發(fā)應(yīng)用。
二、EVG光刻機應(yīng)用
MEMS,RF器件,功率器件,化合物半導體等方面的圖形光刻應(yīng)用。
三、EVG光刻機特征
晶圓/基片尺寸從零碎片到200毫米/ 8英寸
頂部和底部對準功能
高精度對準
自動楔形補償序列
電動的和程序控制的曝光間隙
支持最新的UV-LED技術(shù)
最小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求
分步流程指引
遠程技術(shù)支持
多用戶概念(無限數(shù)量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問權(quán)限,不同語言)
敏捷的處理和轉(zhuǎn)換重新加工
臺式或獨立式帶防振花崗巖臺面
附加功能:
鍵合對準
紅外對準
納米壓印光刻(NIL)
四、技術(shù)參數(shù)
1.掩模版-基板-晶圓尺寸
掩模版尺寸:5寸/7寸/9寸
基片/晶圓尺寸:100mm/150mm/200mm
晶圓厚度:高達10mm
2.對準模式
頂部對準精度:≤ ± 0,5 μm
底部對準精度:≤ ± 2,0 μm
紅外對準模式:≤ ± 2,0 μm/取決于基片的材料
3.頂部顯微鏡
移動范圍1:100mm(X軸:32-100mm;Y軸:-50/+30mm;)
移動范圍2:150mm(X軸:32-150mm;Y軸:-75/+30mm;)
移動范圍1:200mm(X軸:32-200mm;Y軸:-100/+30mm;)
可選:平坦的物鏡可以增加光程;帶有環(huán)形燈的暗場物鏡,可以增加對比度
4.底部顯微鏡
移動范圍1:100mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
移動范圍2:150mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
移動范圍1:200mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
可選:平坦的物鏡可以增加光程;帶有環(huán)形燈的暗場物鏡,可以增加對比度
5.曝光器件
(1)波長范圍:
NUV:350 - 450 nm
DUV:低至200 nm (可選)
(2)光源:
汞燈350W , 500W UV LED燈
(3)均勻性:
150mm:≤ 3%
200mm:≤ 4%
(4)濾光片:
汞燈:機械式
UV LED:軟件可調(diào)
6.曝光模式
接觸:硬、軟接觸,真空
曝光間隙:1 - 1000 μm
線寬精度:1μm
模式:CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)
可選:內(nèi)部,浸入,扇形
7.可選功能
鍵合對準精度:≤ ± 2,0 μm
納米壓抑光刻(NIL)精度:≤ ± 2,0 μm
納米壓抑光刻(NIL)軟印章分辨率:≤ 50 nm圖形分辨率
8.設(shè)施
真空:< 150 mbar
壓縮氣體:6 bar
氮氣:可選2或者6 bar
排氣要求:汞燈需要;LED不需要
9.系統(tǒng)方式
系統(tǒng):windows
文件分享和軟件備份
無限程序儲存,參數(shù)儲存在程序內(nèi)
支持多語言,含中文
實時遠程支持,診斷和排除故障
10.楔形補償
全自動- 軟件控制
11.規(guī)格
占地面積:0.55m2
高度:1.01m
重量:約250kg
納米壓印分辨率:≤ 40 nm(取決于模板和工藝)
支持工藝:Soft UV-NIL
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