發(fā)布時間:2021-07-09
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兩者的充突是不會很快消失。微型凸塊和混合粘結(jié)這兩種技術(shù)都將在市場上占有一席之地。這取決于客戶應(yīng)用。但是,混合鍵合正在興起。臺積電是蕞有聲望的支持者,它正在研究一種稱為集成芯片系統(tǒng)(SoIC)的技術(shù)。臺積電的SoIC技術(shù)使用混合鍵合技術(shù),可實現(xiàn)10μm以下的鍵合間距。據(jù)說SoIC的阻隔間距是現(xiàn)有方案的0.25倍。高密度版本可實現(xiàn)超過10倍的芯片間通信速度,高達(dá)20,000倍的帶寬密度和20倍的能源效率。
SoIC計劃于2021年投入生產(chǎn),可實現(xiàn)小間距HBM和SRAM存儲立方體以及類似3D的芯片架構(gòu)。臺積電(TSMC)研究人員MF Chen在蕞近的一篇論文中說,與當(dāng)今的HBM相比,“集成了SOIC的DRAM存儲器立方體可以提供更高的存儲器密度,帶寬和功率效率?!?/span>
分離的晶片經(jīng)歷類似的過程。晶片使用兩步工藝鍵合,這是介電對介電鍵,然后是金屬與金屬的連接。EV Group業(yè)務(wù)開發(fā)總監(jiān)Thomas Uhrmann表示:“總體而言,晶圓對晶圓是設(shè)備制造的手選方法,在整個工藝流程中,晶圓都保留在前端晶圓廠環(huán)境中?!?“在這種情況下,用于混合鍵合的晶圓制備在界面設(shè)計規(guī)則,清潔度,材料選擇以及雞活和對準(zhǔn)方面面臨諸多挑戰(zhàn)。氧化物表面上的任何顆粒都會產(chǎn)生比顆粒大100至1,000倍的空隙。”
盡管如此,該技術(shù)已被證明可用于圖像傳感器。現(xiàn)在,其他設(shè)備正在開發(fā)中。Uhrmann說:“計劃進(jìn)一步推出諸如堆疊SRAM到處理器芯片之類的器件?!?/span>
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