發(fā)布時(shí)間:2020-12-29
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如上圖所示,在紫外線照射下確定石墨烯-GaN異質(zhì)結(jié)界面。研究人員展示了在單獨(dú)式GaN氮化鎵器件上利用單層石墨烯制造垂直肖特基結(jié)的過程。
NITech副教授Golap Kalita博士認(rèn)為,了解GaN異質(zhì)結(jié)器件以及如何改進(jìn)它們對于提高器件性能至關(guān)重要。轉(zhuǎn)載請注明來源:airconditioningrepair-tarzana-ca.com