發(fā)布時間:2020-12-29
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如上圖所示,在紫外線照射下確定石墨烯-GaN異質(zhì)結界面。研究人員展示了在單獨式GaN氮化鎵器件上利用單層石墨烯制造垂直肖特基結的過程。
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