3     倒裝芯片底填充工藝

       為了提高 FC 組件的封裝可靠性，必須進行底填充。底填充可以有效的緩解芯片、基板和焊料三者之間的 CTE 不匹配，增強封裝體的熱性能，還可以保護焊料凸點，提升封裝體的力學(xué)性能。底填充造成的性能提高為低成本有機基板封裝上的 FC 技術(shù)焊打開了大門，使 FC 技術(shù)的應(yīng)用更加廣泛，例如可以應(yīng)用在個人電腦、筆記本電腦、智能手機、平板電腦等設(shè)備的處理器中。

       大多數(shù)底填料是由低膨脹填充材料如熔融石英和液體預(yù)聚物如熱固性樹脂 ( 粘合劑) 組成的，均可固化為固體復(fù)合材料。一般，底填充工藝可被分為（晶圓鍵合機）鍵合后底填充和鍵合前底填充兩大類。

3. 1   鍵合后底填充

       （晶圓鍵合機）鍵合后底填充是指在完成 FC 鍵合后，即 FC 芯片已經(jīng)在基板上并且焊點已經(jīng)通過回流焊或熱壓鍵合的方式進行了鍵合后，再進行底部填充。鍵合后底填充可以通過兩種方法實現(xiàn)，即毛細(xì)管底填充  ( Capillary Underfill，CUF)  和塑模底填充  ( Molded Underfill，MUF) ，如圖11 所示。

圖 11 鍵合前底填充工藝

Fig. 11 Process of pre-assembly underfill

       CUF 是第一種進行批量生產(chǎn)的底填充方法，其工藝流程如下: 清洗掉芯片完成鍵合后殘余的焊劑，在基板上 FC 芯片的一側(cè) ( 或兩側(cè)) 用針頭或噴嘴滴涂底填膠，再通過毛細(xì)作用使底填膠完全填滿芯片、焊點和基板之間的間隙，然后通過固化底填料將芯片和基板牢固地結(jié)合起來。CUF 只能進行單個芯片的封裝，因此效率較低。