6EZ晶圓載具設(shè)計(jì)的優(yōu)勢:
·Revasum擁有多年研磨和拋光超硬材料(如SiC)的經(jīng)驗(yàn)
·6EZ SiC拋光機(jī)是市場上僅有的一款專門為拋光SiC基片而設(shè)計(jì)的SiC CMP工具
·競爭對手的拋光機(jī)基本上是為拋光硅集成電路而設(shè)計(jì)的,這有一套非常不同的要求
·6EZ與其競爭對手之間最重要的區(qū)別在于晶圓載具的設(shè)計(jì)
布局和功能:
綜合清潔站
·向晶圓的上表面和下表面分配1或2中清潔化學(xué)品
·高壓噴淋棒(10psi)
晶圓翻轉(zhuǎn)
·濕式機(jī)器人實(shí)現(xiàn)雙面拋光
濕式轉(zhuǎn)運(yùn)站
·DIW和化學(xué)沖洗
三臺200rpm拋光臺,帶拋光臺和拋光墊冷卻(5oC)
·專用載體、護(hù)墊調(diào)節(jié)劑和護(hù)墊清潔劑
·兩種漿料的流量控制器
·每張桌上的化學(xué)清潔劑(第三種漿料可選)
漿料分配臂
調(diào)節(jié)臂和盤片
優(yōu)化晶圓載體
·基于經(jīng)驗(yàn)證的ViPRR技術(shù)的設(shè)計(jì)
晶圓處理
·全自動C2C晶圓
·邊緣抓握干式機(jī)器人搬運(yùn)
·最多50片晶圓,無需操作員干預(yù)
晶圓載體對照表
項(xiàng)目 | 6EZ(板+萬向節(jié)) | 競爭對手(薄膜) | 影響 |
晶圓載體設(shè)計(jì) | 板+萬向節(jié)設(shè)計(jì)(適用于SiC) | 基于膜的設(shè)計(jì)(適用于硅薄膜) | 6EZ從頭開始為SiC設(shè)計(jì) |
拋光下壓力 | 更高的"拋光下壓力"(設(shè)計(jì)強(qiáng)勁,無RR力) | 較低的"拋光下壓力"(薄膜較弱,RR力降低拋光力) | MRR |
可靠性 | 穩(wěn)健設(shè)計(jì),可靠性高 | 膜可能會意外失效(破裂) | 正常運(yùn)行時(shí)間,成本(膜成本高) |
扣環(huán)設(shè)計(jì) | 扣環(huán)不接觸拋光墊;沒有晶圓溢出 | 扣環(huán)上的下壓力較大(需要保持晶圓) | |
下壓力 | 更高的"拋光下壓力"(100%的力用于晶圓) | 較低的"拋光力"(超過RR所用力的一半) | MRR |
扣環(huán)磨損 | 襯墊上最小的RR磨損可延長實(shí)用壽命 | 高RR磨損率降低使用壽命 | 正常運(yùn)行時(shí)間,成本 |
襯墊磨損 | 延長極板壽命 | RR摩擦縮短襯墊壽命 | 正常運(yùn)行時(shí)間,成本 |
襯墊調(diào)節(jié) | 所需的襯墊調(diào)節(jié)時(shí)間更短 | 需要更多的襯墊調(diào)節(jié)時(shí)間 | 正常運(yùn)行時(shí)間,成本 |
熱量產(chǎn)生 | 扣環(huán)摩擦不會產(chǎn)生熱量 | 必須清除擋圈摩擦產(chǎn)生的熱量 | 薄膜設(shè)計(jì)具有更高的襯墊過熱風(fēng)險(xiǎn)(工藝風(fēng)險(xiǎn)) |
區(qū)域控制 | 晶圓上的2個區(qū)域,可調(diào)節(jié) | 晶圓上的2個區(qū)域,可調(diào)節(jié) |
未經(jīng)許可不得復(fù)制、轉(zhuǎn)載或摘編,違者必究!