產(chǎn)品中心

PRODUCT CENTER


6EZ-碳化硅拋光機(jī)

6EZ-碳化硅拋光機(jī)

6EZ晶圓載具設(shè)計(jì)的優(yōu)勢:

·Revasum擁有多年研磨和拋光超硬材料(如SiC)的經(jīng)驗(yàn)

·6EZ SiC拋光機(jī)是市場上僅有的一款專門為拋光SiC基片而設(shè)計(jì)的SiC CMP工具

·競爭對手的拋光機(jī)基本上是為拋光硅集成電路而設(shè)計(jì)的,這有一套非常不同的要求

·6EZ與其競爭對手之間最重要的區(qū)別在于晶圓載具的設(shè)計(jì)


布局和功能:


綜合清潔站

·向晶圓的上表面和下表面分配1或2中清潔化學(xué)品

·高壓噴淋棒(10psi)


晶圓翻轉(zhuǎn)

·濕式機(jī)器人實(shí)現(xiàn)雙面拋光


濕式轉(zhuǎn)運(yùn)站

·DIW和化學(xué)沖洗

三臺200rpm拋光臺,帶拋光臺和拋光墊冷卻(5oC)

·專用載體、護(hù)墊調(diào)節(jié)劑和護(hù)墊清潔劑

·兩種漿料的流量控制器

·每張桌上的化學(xué)清潔劑(第三種漿料可選)


漿料分配臂


調(diào)節(jié)臂和盤片


優(yōu)化晶圓載體

·基于經(jīng)驗(yàn)證的ViPRR技術(shù)的設(shè)計(jì)


晶圓處理

·全自動C2C晶圓

·邊緣抓握干式機(jī)器人搬運(yùn)

·最多50片晶圓,無需操作員干預(yù)


晶圓載體對照表

項(xiàng)目6EZ(板+萬向節(jié))競爭對手(薄膜)影響
晶圓載體設(shè)計(jì)板+萬向節(jié)設(shè)計(jì)(適用于SiC)基于膜的設(shè)計(jì)(適用于硅薄膜)6EZ從頭開始為SiC設(shè)計(jì)
拋光下壓力更高的"拋光下壓力"(設(shè)計(jì)強(qiáng)勁,無RR力)較低的"拋光下壓力"(薄膜較弱,RR力降低拋光力)MRR
可靠性穩(wěn)健設(shè)計(jì),可靠性高膜可能會意外失效(破裂)正常運(yùn)行時(shí)間,成本(膜成本高)
扣環(huán)設(shè)計(jì)扣環(huán)不接觸拋光墊;沒有晶圓溢出
扣環(huán)上的下壓力較大(需要保持晶圓)
下壓力更高的"拋光下壓力"(100%的力用于晶圓)較低的"拋光力"(超過RR所用力的一半)MRR
扣環(huán)磨損襯墊上最小的RR磨損可延長實(shí)用壽命高RR磨損率降低使用壽命正常運(yùn)行時(shí)間,成本
襯墊磨損延長極板壽命RR摩擦縮短襯墊壽命正常運(yùn)行時(shí)間,成本
襯墊調(diào)節(jié)所需的襯墊調(diào)節(jié)時(shí)間更短需要更多的襯墊調(diào)節(jié)時(shí)間正常運(yùn)行時(shí)間,成本
熱量產(chǎn)生扣環(huán)摩擦不會產(chǎn)生熱量必須清除擋圈摩擦產(chǎn)生的熱量薄膜設(shè)計(jì)具有更高的襯墊過熱風(fēng)險(xiǎn)(工藝風(fēng)險(xiǎn))
區(qū)域控制晶圓上的2個區(qū)域,可調(diào)節(jié)晶圓上的2個區(qū)域,可調(diào)節(jié)





未經(jīng)許可不得復(fù)制、轉(zhuǎn)載或摘編,違者必究!