硅可以替代Gunn二極管中的GaAs嗎？

       據(jù)悉，加拿大滑鐵盧大學(xué)的研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用拉伸的硅納米線產(chǎn)生微波的新方法，這項突破可以極大地降低成本并改善自動駕駛汽車中的傳感器等設(shè)備。“直到現(xiàn)在，這還被認(rèn)為是不可能的，” 滑鐵盧大學(xué)的工程學(xué)教授塞維爾庫瑪（CR Selvakumar）說，他幾年前提出了這個概念。

       微波通常使用由GaAs制成的Gunn二極管產(chǎn)生。當(dāng)向Gunn二極管GaAs施加電壓然后增加時，流經(jīng)GaAs的電流也會增加“”，但只能增加到某個點(diǎn)。超過該點(diǎn)，電流會減小，這稱為Gunn效應(yīng)，Gunn二極管會導(dǎo)致發(fā)射微波。該效應(yīng)源于電子在兩個不同能量子帶之間的轉(zhuǎn)移，GaAs具有非常低的有效質(zhì)量的直接帶隙和高有效質(zhì)量的間接子帶，其比前者高約300“‰meV。