聚合物在扇出型晶圓級(jí)封裝中的使用（二）

圖1  扇出型晶圓級(jí)封裝的三個(gè)工藝流程

上一篇文章介紹了用于扇出型晶圓級(jí)封裝的三種類(lèi)型的處理流程，如圖1所示。本篇文章將更詳細(xì)地描述面朝下的晶粒先處理工藝和面朝上的晶粒先處理工藝。對(duì)于不熟悉晶圓級(jí)處理功能的讀者，英飛凌首先推出了面朝下的芯片，這是批量生產(chǎn)中的首 款FOWLP封裝。圖2所示為模塊朝上的更詳細(xì)的處理流程。

圖2  晶粒先處理FOWLP工藝流程

在圖2所示的工藝開(kāi)發(fā)過(guò)程中出現(xiàn)的與聚合物相關(guān)的問(wèn)題之一是芯片，模塑料和RDL在加工后的共面性問(wèn)題。Infineon eWLB工藝的基礎(chǔ)是將已知良好的模具面朝下嵌入臨時(shí)粘合劑中，以形成再生晶片（圖2中的步驟3）。為了使模具在環(huán)氧樹(shù)脂模制過(guò)程中不移動(dòng)（圖2中的步驟4），需要足夠的力才能在模具表面和臨時(shí)粘合劑之間形成良好的粘合劑粘結(jié)。芯片放置期間的結(jié)合力導(dǎo)致芯片沉入粘合劑層中。如圖2的步驟7所示，在模制并去除了載體箔（以及臨時(shí)粘合劑）之后，

在模制過(guò)程中，芯片的表面略微嵌入了臨時(shí)粘合劑中，在對(duì)再分布層進(jìn)行構(gòu)圖后形成了一個(gè)小臺(tái)階。圖3顯示了共面性問(wèn)題的SEM圖像。

圖3  SEM圖像顯示了RDL和撞擊后的共面性問(wèn)題

在理想情況下，芯片頂部表面和模塑料將是平面的，如圖3右側(cè)的卡通所示。圖3左側(cè)的SEM圖像顯示了靠近芯片邊緣的區(qū)域的實(shí)際橫截面。芯片。RDL層中的步驟由紅色箭頭指示。RDL材料的特征之一是能夠使芯片上的拐角處的臺(tái)階平坦化，并能很好地流動(dòng)并牢固地粘附到環(huán)氧模塑料上。在圖3中，RDL有效地平整了小臺(tái)階，RDL相當(dāng)平整。在錫球回流過(guò)程中，RDL平面度很重要。圖3中的SEM圖像顯示焊球連接良好。圖3中的圖像是兩層RDL結(jié)構(gòu)的示例。

解決此問(wèn)題的方法是使用面朝上的晶粒先處理方法。在放置在臨時(shí)粘合劑/載體晶圓上之前，先將已知好的裸片鍍上銅螺柱（請(qǐng)參見(jiàn)圖1中的中間流程）。環(huán)氧成型工藝隨后封裝了面朝上的芯片。為了進(jìn)行互連，將成型的重構(gòu)晶片的上表面向下研磨以暴露出鍍銅柱的頂部。下一步是使用面朝下的晶粒處理優(yōu)先方法中使用的相同類(lèi)型的工藝流程來(lái)應(yīng)用重新分布層。

圖4  正面朝上的晶粒處理首先處理流程的橫截面的SEM圖像

圖4中的關(guān)鍵特征是在其上構(gòu)圖了RDL層的平面。成型后的磨削操作可確保裸露的銅柱與環(huán)氧樹(shù)脂模塑料表面平整，從而省去了圖3中討論的步驟。首先使用面朝上模具的主要原因是允許使用所謂的自適應(yīng)圖案化。

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