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EVG推出用于“超越摩爾”縮放和前端處理的熔融晶圓鍵合機

發(fā)布時間:2020-08-18

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ST.奧地利佛羅倫薩,2018年12月3日報道— EV集團(EVG)是面向MEMS,納米技術和半導體市場的晶圓鍵合機和光刻設備的領 先供應商,今 天推出了全新的BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融鍵合機系統(tǒng)。BONDSCALE旨在滿足各種融合/分子晶圓鍵合應用,包括工程化的基板制造和使用層轉移處理的3D集成方法,例如單片3D(M3D)。借助BONDSCALE,EVG將晶片鍵合技術帶到了前端半導體處理中,并幫助解決了國際設備和系統(tǒng)路線圖(IRDS)中確定的“超越摩爾”邏輯設備擴展的長期挑戰(zhàn)。整合了增強的邊緣對齊技術,與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺相比,BONDSCALE大 大提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率,并降低了擁有成本(CoO)。它已經(jīng)被運送到客戶。

       BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準GEMINI®FB XT自動熔合晶圓鍵合機系統(tǒng)一起出售,每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉移處理,但GEMINI FB XT將支持要求更高對準精度的應用,例如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和管芯分區(qū)。

直接晶圓鍵合是推動半導體性能擴展的關鍵
       根據(jù)IRDS路線圖,寄生縮放將成為未來幾年邏輯器件性能的主要驅動力,需要新的晶體管架構和材料。IRDS路線圖還指出,將需要新的3D集成方法(例如M3D)來支持從2D到3D VLSI的長期過渡,包括背面配電,N&P堆棧,內(nèi)存邏輯,集群功能堆棧以及CMOS以外的功能采用。層轉移工藝和工程襯底通過幫助實現(xiàn)設備性能,功能和功耗的顯著改善,正在使邏輯縮放技術成為可能。通過等離子活化進行直接晶圓鍵合是一種行之有 效的解決方案,可實現(xiàn)不同材料的異質集成。

       EV Group執(zhí)行技術總監(jiān)Paul Lindner表示:“作為晶圓鍵合的先驅和市場領 導 者,EVG一直在幫助客戶將新的半導體技術從早期研發(fā)帶入全 面生產(chǎn)方面處于蕞前沿。” “將近25年前,EVG推出了業(yè)界di一款絕緣體上硅(SOI)晶圓鍵合機,以支持針對利基應用的高頻和輻 射硬件設備的生產(chǎn)。從那時起,我們一直在不斷提高直接鍵合平臺的性能和CoO,以幫助我們的客戶將工程基板的優(yōu)勢帶入更廣 泛的應用領域。我們?nèi)碌腂ONDSCALE解決方案將其提升到一個新的水平,從而提高了生產(chǎn)率,從而滿足了對工程襯底和層轉移處理不斷增長的需求,從而實現(xiàn)了持續(xù)的性能。

晶圓鍵合機bondscale

       BONDSCALE是用于前端應用所需的融合/直接晶圓鍵合的大批量生產(chǎn)系統(tǒng)。BONDSCALE系統(tǒng)采用EVG的LowTemp?等離子活化技術,在一個適用于多種熔融/分子晶片的單一平臺上,結合了熔合的所有基本步驟-包括清潔,等離子體活化,對準,預結合和IR檢查。綁定應用程序。該系統(tǒng)能夠處理200毫米和300毫米晶圓,可確保無空隙,高產(chǎn)量和高產(chǎn)量的生產(chǎn)過程。

       BONDSCALE集成了下一代融合/直接鍵合模塊,新的晶圓處理系統(tǒng)和光學邊緣對準功能,可提供更高的生產(chǎn)率和生產(chǎn)率,從而滿足客戶提高工程襯底晶圓生產(chǎn)和M3D集成的需求。

       有關用于工程襯底和前端晶圓鍵合的BONDSCALE自動熔合生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)的更多信息,請參見此處

關于EV集團(EVG)

       EV Group(EVG)是制造半導體,微機電系統(tǒng)(MEMS),化合物半導體,功率器件和納米技術器件的設備和工藝解決方案的領 先供應商。主要產(chǎn)品包括晶圓鍵合機,薄晶圓加工,光刻/納米壓印光刻(NIL)和計量設備,以及光刻膠涂布機,清潔劑和檢查系統(tǒng)。成立于1980年的EV Group服務于復雜的全球客戶和合作伙伴網(wǎng)絡,并為其提供支持。有關EVG的更多信息,請訪問airconditioningrepair-tarzana-ca.com。

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