【儲存器研發(fā)】三星加速開發(fā)160層或更高堆疊層數的3D NAND Flash

       當前，3D NAND Flash快閃存儲器產品量產的最高堆疊層數為128層，不過三星正在研發(fā)更高層數的快閃存儲器。

       據韓國媒體《ETnews》近日報道，三星目前正在開發(fā)具有160層或更高層的第7代V-NAND快閃存儲器，并且在相關技術方面已經取得重大進展。

       《ETnews》指出，三星的第7代V-NAND快閃存儲器將采用“雙堆疊”的技術來達到更多堆疊層的目的。就現階段來說，如果完成160層堆疊的V-NAND快閃存儲器開發(fā)，將成為業(yè)界最高堆疊層數的產品。

       報導進一步指出，在存儲器產業(yè)中，這稱為3D NAND Flash的快閃存儲器，三星則是稱為V-NAND快閃存儲器。堆疊層數的多少是3D NAND Flash快閃存儲器廠商的核心競爭力，而目前三星是被公認為業(yè)界技術最先進的廠商。另外，三星在2019年也以166.7億美元（約20萬億韓圜）的營收，在全球3D NAND Flash快閃存儲器市場上成為龍頭，市占率達到35.9%。

       值得一提的是，盡管新冠肺炎疫情爆發(fā)，三星仍在繼續(xù)進行存儲器生產與研發(fā)的投資，其中包括對西安的NAND Flash快閃存儲器工廠進行擴產。除了三星之外，韓國另一個存儲器大廠SK Hynix也在2019年宣布了發(fā)展規(guī)劃，并且在2020年恢復了存儲器產品的投資。由于存儲器為韓國的重要產業(yè)，因此預計未來的投資還將持續(xù)擴大。（以上內容來自全球半導體觀察）

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